Запропоновано алгоритм побудови профілю електронної концентрації за його характеристиками (висотою головного максимуму, значенням електронної концентрації в максимумі шару F2, верхньою і нижньою півтовщинами, значенням електронної концентрації і шкалою висот на 1000 км). Зроблено огляд виразів, які використовуються для опису висотного профілю електронної концентрації. Показано перевагу запропонованого автором алгоритму побудови профілю електронної концентрації. Проілюстровано результати розрахунків профілю при варіаціях його характеристик. Запропонований алгоритм використано для розв’язання конкретної задачі теоретичного моделювання області F2 іоносфери.
