Приведены результаты исследований реверсивно включаемых динисторов (р.в.д.) с рабочим напряжением 2 кВ и диаметром структур 12 мм при коммутации мощных импульсов тока субмикросекундной длительности. Показано, что в этом временном диапазоне коммутационные потери энергии в р.в.д. значительно ниже, чем у тиристоров и IGBT-транзисторов, имеющих практически ту же площадь полупроводниковых структур и предельно допустимое блокируемое напряжение. Определено время коммутации (менее 0.4 мкс), при котором использование р.в.д. становится малоэффективным.
