Показано, что увеличение расстояния катод-подложка не изменяет направления преимущественной кристаллографической ориентации поликристаллической составляющей и фазового состава пленки. Выявлена зависимость стадий формирования и структурного состояния формируемых пленок от положения подложки в потоке пленкообразующих частиц и температурных условий формирования. Показано, что вне зависимости от положения подложки в потоке пленкообразующих частиц для протекания процесса структурообразования поликристаллической пленки необходима строгая очередность стадий формирования, которые зависят не только от температур пленки в процессе формирования, но и от скорости ее нагрева. Установленная зависимость технологических характеристик процесса осаждения, температурных и структурных характеристик пленки позволит управлять и контролировать процесс структурообразования пленки, минимизировать или исключить ее дефектность, контролировать структуру, следовательно, управлять свойствами и достигать необходимого качества пленки.
