Рассмотрены современные предпосылки развития микроэлектроники: углубление в вакуумно-ультрафиолетовый рабочий диапазон, создание и применение зеркальных объективов предельной точности, построенных по схеме Шварцшильда, когда требования к точности измерения ошибок строже, чем ?/100 для ? =0,633 мкм. На стадии финишной доводки оптических поверхностей объектива, в дополнение к дифракционной интерферометрии, необходима оценка качества изображения, сформированного объективом, с использованием прямого метода изофотометрии структуры изображения точки, чем преодолевается недостаток чувствительности интерференционного контроля.
