|
Автор: Хайдуков Е.В., Храмова О.Д., Рочева В.В., Зуев Д.А., Новодворский О.А., Лотин А.А., Паршина Л.С., Поройков А.Ю., Тимофеев М.А., Унтила Г.Г.
-
Анотація:
Исследован процесс возникновения лазерно-индуцированной столбчатой структуры на поверхности c-Si и mc-Si под действием наносекундных импульсов Nd:YAG-лазера (532 нм) в атмосфере диоксида углерода и в вакууме. Получены образцы текстурированных пластин mc-Si размером 20?20 мм c типичной столбчатой структурой (аспектное отношение ? 3) и полным отражением менее 3 %.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Ядерна фізика. Атомна фізика. Молекулярна фізика
|
