Рассмотрена экспериментально подтвержденная возможность создания высокостабильных многослойных тонкопленочных тензорезисторов для чувствительных элементов датчиков давления на основе тонкопленочной гетероструктуры никель-хром с управляемым содержанием компонентов. Тонкопленочная гетероструктура получена методом магнетронного распыления из отдельных магнетронных систем при их индивидуальном питании от источников импульсного тока с регулируемой амплитудой.
