Показано, что высокий уровень низкочастотных фотоосцилляций вида и их особенности в монокрисаллах селенида цинка обусловлены структурными дефектами типа двойников и дефектов упаковки. Установлена корелляция между спектральным распределение возбуждения фотоосцилляций , фотопроводимости и фотоемкости.
