Исследованы зависимости технологических характеристик процесса глубокого травления кремния от его операционных параметров. Разработан и оптимизирован процесс глубокого анизотропного плазменного травления кремния для формирования кремниевых структур микроэлектромеханических систем (МЭМС).

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2011.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Практичний аспект, реалізація, виконання, виробництво в техніці/Практический аспект, реализация, исполнение, производство в технике/Practical aspect, realization, execution, production in equipment