Представлены результаты теоретических исследований параметров взаимодействия ускоренных ионов с различными подложками методом фокусированных ионных пучков. Установлено, что в рабочем диапазоне энергий глубина проникновения ионов галлия в подложку лежит в диапазоне 5-25 нм. Определены значения энергии связи для кремния, алюминия и окисла кремния, необходимые для получения адекватных результатов при моделировании параметров распыления материалов аналитическими методами.
