Проведено моделирование изменения интегрального заряда, собираемого КМОП-инвесторами по проектной норме 0,18 мкм, при локальном воздействии разных импульсов тока от отдельных частиц, приводящих к одинаковым значениям амплитуд помехи на выходе инвестора.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2011.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Радіоелектронна апаратура та схеми