|
Автор: Алтухов А.А., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Зяблюк К.Н., Митянгин А.Ю., Чучева Г.В.
-
Анотація:
Рассмотрены наиболее перспективные алмазные полевые транзисторы с поверхностным каналом на основе водорода и транзисторы с б-каналом, легированным бором. Показаны преимущества данных транзисторов перед транзисторами на основе GaAs и Gan.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
| 