В режиме коммутации мощных (3 кА) и коротких (50 мкс) импульсов тока проведено исследование трех групп кремниевых р+nn+-диодов с малым временем выключения, обеспеченным путем облучения заряженными частицами. Диоды первой группы были облучены электронами с энергией 550 кэВ, второй – протонами с энергией 2,5 МэВ, а затем электронами с энергией 6 МэВ, третьей – электронами с энергией 6 МэВ. Исследуемые диоды имели диаметр полупроводниковых элементов 16 мм и предельно допустимое блокируемое напряжение 3 кВ. Дозы облучения выбирались таким образом, чтобы получить примерно одинаковое время жизни носителей тока у р+n-перехода (4 мкс), измеренное методом Лекса при плотности прямого тока 1 А/см2. Установлено, что при выключении диодов группы 1 пиковая мощность потерь энергии в 2 или более раз меньше, чем при выключении диодов групп 2 и 3. Диоды группы 1 имеют также существенно меньшее падение напряжения при максимальном значении прямого тока (в 2 раза по сравнению с диодами группы 2 и в 7 раз по сравнению с диодами группы 3) и значительно (в несколько раз) меньшую величину всплеска напряжения в момент резкого нарастания прямого тока.

Приборы и техника эксперимента [Текст] : научный журнал / РАН. — М.

• УДК // Умови та характеристики виробничих процесів, устаткувань та обладнання