Исследуются вольт-амперные хароактеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs.Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник.

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

• УДК // Напівпровідникові діоди