Представлены результаты анализа поперечных сечений СБИС с помощью метода фокусированного ионного пучка, растровой и просвечивающей электронной микроскопии. Описаны процедуры и технологические процессы, позволяющие получать совмещенные друг с другом изображения всех топологических слоев СБИС с применением этих методов.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2011.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Електронно- мікроскопічні методи дослідження/Электронно-микроскопические методы исследования/Electronic and microscopic methods of research