С помощью приборно-технологической САПР проведено электро-тепловое моделирование современных полупроводниковых структур SiGe ГБТ. Показано, что для приборов, работающих с высокими плотностями тока и/или удельной мощности, наличие в структурах диэлектрической щелевой изоляции существенно ограничивает возможности отвода тепла. Это повышает рабочую температуру приборов и может привести к деградации электрических параметров.
