Рассмотрены особенности моделирования мощного МОП-транзистора, реализованного на подложке кремний–на–изоляторе. С помощью программ приборно-технологического моделирования исследованы зависимости факторов, влияющих на тепловое сопротивление, от конструктивно-технологических параметров мощного прибора.
