Рассмотрены основные эффекты, возникающие при прохождении единичной высокоэнергетичной частицы через структуру МОП-транзистора в КМОП ИС. Предложены методы расчета и повышения стойкости изделия к данным эффектам при помощи средств приборно-технологического моделирования.
