Зведений каталог бібліотек Харкова
Алексеев, А. Н. Наногетероструктуры с повышенной подвижностью электронов, полученные методом МЛЭ [Текст] / А.Н. Алексеев, С.И. Петров, В.К. Неволин та ін. // Известия вузов. Электроника. — 2011. — С. 69-74.
Автор: Алексеев А.Н., Петров С.И., Неволин В.К., Царик К.А., Красовицкий Д.М., Чалый В.П.
- Анотація:
На отечественном многокамерном комплексе «Нанофаб-100», включающем специализированную установку молекулярно-лучевой эпитаксии STE3N3, выращены и исследованы многослойные нитридные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN. Полученные гетероструктуры имеют высокое структурное совершенство, гладкую морфологию и низкую плотность дислокаций, что демонстрирует высокий потенциал нанотехнологического комплекса.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2011.
- Теми документа
