Приведен обзор электрофизических свойств полупроводникового карбида кремния в сопоставлении с другими полупроводниковыми материалами. Рассмотрены методы выращивания объёмных монокристаллов и гетероэпитаксиальных структур карбида кремния, а также методы получения и результаты исследований различных типов приборов на основе Sic.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2011.

• УДК // Кремній Si/Кремний/Silicon
• УДК // Передача електричної енергії. Енергорозподілення та телекомунікаційні лінії. Провідники. Ізоляційні матеріали. Лінійна арматура. Конструкція, спорудження ліній електропередач