Опис документа

Предложен простой экспрессный метод определения скорости рождения электронно-дырочных пар Gs в структурах металл–сверхтонкий окисел–полупроводник (м.о.п.). Метод основан на измерениях динамических вольт-амперных характеристик м.о.п.-структур в области глубокого обеднения поверхности полупроводника и на сопоставлении этих данных с квазиравновесной вольт-фарадной характеристикой (в.ф.х.) идеальной м.о.п.-структуры. Такой подход определения Gs по значению емкости структуры нечувствителен к сдвигу в.ф.х., обусловленному наличием встроенных зарядов, и к перезарядке локализованных электронных состояний в окисле и на границе раздела SiSiO2. Предложенная методика позволяет также учесть влияние туннельного тока сквозь изолятор на результаты измерений. Алгоритм апробирован при исследованиях процессов генерации и аннигиляции центров рождения электронно-дырочных пар в n-Si-м.о.п-структурах со сверхтонким ( 4 нм) окислом.