Представлены преимущества сегнетоэлектрических пленочных материалов для использования их в устройствах СВЧ-диапазона. Показано, что в пленках состава Ва0,8Sr0,2TiO3 диэлектрическая проницаемость меняется более чем в 3 раза при приложенном управляющем напряжении 0–20 В. Найдено, что при температуре –50…+250 °С диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрических пленок состава Ва0,7Sr0,3TiO3 меняется менее чем на 5%. Установлено, что наиболее оптимальными методами получения сегнетоэлектрических пленок являются методы лазерного и реактивного ионно-плазменного распыления стехиометрической мишени в кислороде. Рассмотрены различные конструкции СВЧ-устройств с использованием сегнетоэлектрических материалов.
