В работе дана оценка влияния паразитных параметров элементов в преобразователях различных топологий на спектральный состав напряжения кондуктивных помех. Масштабирование полученных результатов позволяет оценивать ожидаемые уровни ЭМП от рассмотренных типов преобразователей и, разрабатывать более эффективные помехоподавляющие фильтры для ИВЭП КТ при меньших производственных затратах. Результаты получены для диапазона частот 0–30 МГц.
