Исследованы особенности контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Показано, что электрофизические свойства контакта определяются, главным образом, плотностью состояний, локализованных в щели подвижности неупорядоченного полупроводника. Разработан математический аппарат для теоретического описания контактных явлений. Рассмотрены экспериментальные методы исследований, проведен сравнительный анализ теоретических и экспериментальных результатов.
