|
Автор: Сотников В.Т., Добротворский С.С., Запечельнюк Э.Ф., Добротворская М.В., Галий П.В.
-
Анотація:
Изменение стехиометрии поверхности кристаллов CsJ и KCl при воздействии лазерного и электронного облучений определяется сходными механизмами. При малых температурных воздействиях поверхность кристаллов обогащается металлом за счет релаксации электронных возбуждений. При высоких температурах поверхность CsJ обогащается J, а поверхность KCl -калием, за счет различных скоростей испарения компонентов матрицы.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Мінералогія. Спеціальне мінералознавство
-
УДК // Фізика плазми
| 