Представлены результаты теоретического исследования процессов в тонком бесстолкновительном слое плазмы вблизи эмиттера. Приведена оценка влияния боковой поверхности разрядной полости, находящейся под тем же потенциалом, что и эмиттер, на распределение потенциала в слое.

Источники и ускорители плазмы [Текст] : межвуз. темат. сб. науч. тр. / ХАИ. — Харьков : ХАИ, 1982. — 153 с.

• Праці співробітників ХАІ // Долгов А.С.
• УДК // Коливання плазми. Плазмовий резонанс. Ударні хвилі
• Праці співробітників ХАІ // Нестеренко С.Ю.
• Праці співробітників ХАІ // Оранський А.І./Оранский А.И./Oranskiy A.I.
• Праці співробітників ХАІ // Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ