В рамках диффузионно-дрейфовой модели полупроводников моделируется процесс преобразования частоты сигналов в Ge, Si и GaAs pn-i-pn структурах с резкими лавинными p-n переходами и постоянным обратным смещением. Исследованы нелинейные, частотные и фазовые искажения сигналов.

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи