Рассмотрена проблема управления энергией и плотностью ионного потока вдоль поверхности обрабатываемой подложки в технологических устройствах плазменно-ионной обработки. Проведен анализ современных технологических систем и методов управления параметрами ионного потока. Предложена классификация схем взаимодействия источников плазмы с подложкой, где определяющей является функция, которую выполняет подложка в процессе генерации плазмы. Для управления ионным потоком неоходимо использовать магнитные ловушки электронов плазмы. В системах, где подложка является частью источника плазмы, конфигурация ловушки должна соответствовать схеме с магнитным удержанием плазмы, соответствующей конфигурации магнетронного распылительного устройства при использовании его катода в качестве подложки. В системах, где подложка не является частью источника плазмы, предложено создавать ловушки с магнитными зеркалами в области источника плазмы и подложки. Описан комплекс вопросов, которые необходимо рассмотреть для разработки метода управления плотностью и энергией ионов на подложку.
