Предложен новый метод определения функциональной пригодности кристаллов CdZnTe для применения в радиоэлектронной аппаратуре на основе метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. Критериями для определения функциональной пригодности кристалла выбраны времена жизни носителей заряда, которые рассчитываются на основе информации о дефектно-примесной структуре кристалла. Эта информация получена применением метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. Приведены результаты в виде графических зависимостей и таблиц. Выполнен анализ полученных данных. Показано, что эти данные согласуются с данными, полученными ранее с помощью других методов.
