Исследована возможность эффективной ионной очистки поверхности подложки-катода в разряде планарного магнетрона. Показано, что использование соленоида, размещенного под катодом со структурой полого катода, позволяет получить планарное магнетронное распылительное устройство с зоной распыления, занимающей до 93% поверхности дисковой части подложки - катода.