Применение к конструкциях полевых транзисторов, в сравнении с аналогичными по сложности узлами на биполярных транзисторах, позволяет получить более высокое входное сопротивление усилительных каскадов, меньшие искажения, меньшин шумы, отсутствие вторичного теплового пробоя.
