Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Прохоров, Э. Д.
    Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs [Текст] / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 86-90.


- Анотація:

В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импенданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Напівпровідникові діоди



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт