Предложена уточненная модель полевого SOI МОП транзистора с частичным перекрытием затвора по 90 нм технологии, которая учитывает неквази-статические и внешние паразитные эффекты. Полученные Y-параметры модели до 20 ГГц хорошо совпадают с результатами расчета в 2D ATLAS (ошибка ~5%), тогда как результаты квази-статической предикативной модели существенно отличаются (>20%). Рассчитанные граничная частота fT и максимальная частота колебаний fmax равны ~108 и ~130 ГГц соответственно. Определен коэффициент шума ?2,8 дБ при IDS ? 0.64 мА, VDS = 1 В и Rge = 3 Ом. Малошумящий усилитель (МШУ) для работы в диапазоне 5,8 ГГц, рассчитанный с помощью предложенной модели, показал хорошее согласование входных (S11 ? –15 дБ) и выходных (S22 ? –16 дБ) характеристик, и коэффициента усиления S21 ? 15 дБ. Предложен коэффициент оценки качества МШУ FoMLNA, включающий коэффициент усиления мощности G, коэффициент шума F и потребление по постоянному току Pdc. Проведено сравнение различных МШУ при помощи FoMLNA и предложенной модели, которое показало практически трехкратное улучшение параметров рассмотренного усилителя. Ключевые слова: частичное перекрытие затвора; неквази-статический; кремний-на-диэлектрике; малошумящий усилитель; низкомощный