Рассмотрены омические контакты Au–TiBx–Al–Ti–n–GaN, Au–Pd–Ti–Pd–n–AlN и Au–Pd–Ti–n–C к перспективным для использования в микроэлектронике широкозонным полупроводникам. Формирование омических контактов происходит после нанесения последовательных слоев металлизации с последующей быстрой термической обработкой, которая приводит к твердофазным реакциям, проходящим между полупроводником и металлизацией. Показано, что использование в омическом контакте рентгеноаморфного слоя TiBx в роли диффузионного барьера позволяет создавать термостойкие контакты до Т = 900 °С. Токоперенос в рассмотренных омических контактах описан с помощью модели токопереноса по металлическим шунтам с учетом диффузионного ограничения подвода носителей заряда. Ключевые слова: омический контакт; удельное контактное сопротивление; механизм токопереноса; Оже-спектроскопия; рентгеновская дифрактометрия
