Представлены впервые разработанные оптическая схема и принцип действия устройства, собранного как единая комбинация одновременно функционирующих холоэллипсометров in situ рассеяния и отражения поляризованного света образцом оптически одноосного двумерного кристалла в направлениях, близких к нормальному для образца. Представлены основные уравнения метода холоэллипсометрии, реализуемого адекватно с помощью приведенного устройства. Полученные в данной работе результаты существенно отличаются от известных в практике поляризационных измерений рассеяния света тем, что здесь впервые представлена возможность одновременного измерения в реальном времени не отношения модулей, а самих модулей комплексных амплитудных коэффициентов рассеяния и (а не или) отражения света в направлениях, близких к нормальному для исследуемого образца из оптически одноосного прозрачного двумерного кристалла, а также дополнительно и разности фаз для этих же комплексных амплитудных коэффициентов рассеяния и отражения света. Такая возможность одновременного измерения не двух, а шести экспериментальных параметров позволяет существенно повысить диагностические способности эллипсометрии как основы мониторинга создания и обработки двумерных наноструктурных образований.
