Проведен численный расчет стационарного распределения электрического поля и концентрации носителей заряда в диоде Ганна для одномерного случая, а также экспериментальные исследования этих характеристик с помощью ближнеполевого СВЧ микроскопа. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии основных носителей заряда от электрического поля при описании процессов, протекающих в диодах Ганна. Численные результаты качественно согласуются с проведенным экспериментом. Ключевые слова: арсенид-галлиевый диод Ганна; ближнеполевой сканирующий СВЧ-микроскоп; стационарный домен; уравнение Пуассона; контактный зонд; двойной электрический слой; интенсивность электрического поля

Известия вузов. Радиоэлектроника [Текст] // Известия вузов. Радиоэлектроника - К. : КПИ. — К. : КПИ, 2013.

• УДК // В напівпровідникових матеріалах