Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AIGaN/GaN однобарьерной наноструктурн с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. С целью повышения рабочей частоты исследуется аналогичный диод на AIGaAs/GaAs наноструктуре, где эффективная масса и инерционность туннелирования электрона меньше. Получены зависимости отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования.

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

• УДК // Напівпровідникові діоди