С помощью рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследовано влияние температуры подложки и показателя концентрации СН4 на поведение тонких поликристалических алмазных пленок при разрушении. Показано, что поведение при разрушении тонких оликристалических алмазнызх пленок, синтезированных химическим осажденим покрытия с помощья плазменной струи при постоянном токе, зависит от температуры подложкии показателя концентрации СН4.
