Показана необходимость использования контролируемого метода нанесения покрытий для реализации принципа конструирования покрытий. Сделан вывод о перспективности использования для решения стоящей задачи установок на основе инверсной магнетронной распылительной системы с газовым анодом, секционированными катодными узлами и осевыми потоками плазмы. Представлены и проанализированы результаты измерения интегральных характеристик исследуемой распылительной системы в зависимости от давления плазмообразующего газа и величины индукции магнитного поля в разрядном промежутке. Показано, что вольтамперные характеристики исследуемой распылительной системы и их изменение в зависимости от основных параметров, влияющих на ее работу, сходны по своему характеру с другими магнетронными распылительными системами. Даны рекомендации по выбору параметров ее работы.