Использование варизонных полупроводников позволяет увеличить эффективность и выходную мощность диодов Ганна. В соединениях InBN и GaBN, в отличии от других тройных полупроводниковых нитридов, энергетический зазор между долинами можно уменьшить до нуля, что дает возможность найти оптимальное распределение BN-компоненты в варизонных соединениях для диодов Ганна. В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN. Показано, что максимальная эффективность и выходная мощность генерации происходит при пиковом содержании BN у катодного контакта 30 % для InBN- и 33 % для GaBN-диодов Ганна при длине варизонного слоя, равной 0,6…0,8 мкм. При оптимальном распределении BN варизонные InBN- и GaBN-диоды Ганна по эффективности генерации и выходной мощности превосходят GaN-, InN-диоды в 1,07?3,44 раза и варизонные AlGaN- и AlInN-диоды в 0,93?1,69 раза. Потребляемая мощность варизонных InBN и GaBN диодов на 11–19 % меньше потребляемой мощности InN-, GaN- и AlInN-диодов. Результаты исследования расширяют знания о физических процессах переноса носителей заряда в сложных полупроводниковых структурах и могут быть использованы для технологических разработок новых быстродействующих приборов на основе полупроводниковых нитридов.
