Работа посвящена решению проблем автоматизации проектирования заказных интегральных схем с технологическими нормами 22 нм и ниже. Особое внимание уделяется новой технологии, получившей название FinFET (технология с трехмерной структурой транзистора в форме плавника (fin)). Известно, что FinFET-технология обеспечивает улучшение быстродействия и мощности по сравнению со стандартной КМОП-технологией. Вместе с тем широкое распространение технологии FinFET затруднено ввиду проблем автоматизации проектирования схем и топологии: развитие средств автоматизированного проектирования интегральных схем традиционно отстает от развития технологии. Для решения проблем автоматизации проектирования в данной работе проведен сравнительный анализ существующих подходов разработки топологии FinFET-структур, а также сравнительный анализ этих структур со стандартной КМОП-структурой. Разработаны методы формирования топологической конструкции различных FinFET-структур для синтеза топологии элементов с регулярной топологической структурой в слоях поликремния и диффузии. Ключевые слова: САПР (системы автоматизированного проектирования), SP-граф, сложно-функциональный блок (СФ-блок), FinFET-резисторы (транзисторы с трехмерной структурой в форме плавника), КМОП-технология
