Обсуждаются принципы создания моделей мемристоров для схемотехнического моделирования. Мемристор — новый схемный двухполюсный элемент, который можно рассматривать как резистор, обладающий памятью. Для описания этого свойства в модель мемристора необходимо ввести дополнительное дифференциальное уравнение. Наличие внутреннего дифференциального уравнения является особенностью мемристорной модели с точки зрения схемного моделирования. Представлены основные известные подходы к созданию моделей мемристоров. Рассмотрены линейно-дрейфовая и нелинейные модели. Уравнения моделей могут рассматриваться как основа библиотечных моделей для стандартных программ схемотехнического моделирования. Применение предлагаемых моделей иллюстрируется примерами моделирования различных режимов электрических схем с использованием мемристорных элементов. Ключевые слова: схемотехническое моделирование, мемристор, электрические модели, моделирование мемристора, оконная функция
