Для неразрушающего контроля полупроводниковых компонентов широкое распространение получили аппаратура и методы, основанные на отбраковке потенциально ненадежных элементов по m-характеристикам , которые определяются как производные полулогарифмической вольт-амперной характеристики прямосмещенного p-n-перехода по предложенной формуле.

Радиоэлектронные устройства в информационно-измерительных системах [Текст] : сб. науч. тр. / Харьковский авиационный институт им. Н.Е. Жуковского ; отв. ред. Н.Т. Березюк. — Х. : Харьк. авиац. ин-т, 1989. — 184 с.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи