Представлены результаты моделирования и измерения параметров статической оперативной запоминающей ячейки с двумя адресными входами, выполненной по КМОП-технологии с проектной нормой 180 нм, реализующей принцип двухкоординатной выборки. Исследована зависимость запаса статической помехоустойчивости (SNM), порога переключения в режиме записи (WRM), запаса помехоустойчивости по отдельным управляющим узлам и разрядного тока от потенциала общей шины триггера. По сравнению с известной схемой достигнуто увеличение SNM на 26%, до 222 мВ, WRM на 6%, до 1017 мВ.
