|
Автор: Белов А.Г., Голубятников В.А., Григорьев Ф.И., Лысенко А.П., Строганкова Н.И.
-
Анотація:
Показано, что применение метода Ван дер Пау становится возможным при освещении приконтактных областей образца монохроматическим излучением изменяемой интенсивности с энергией квантов, большей ширины запрещенной зоны исследуемого материала. На основе модернизированного метода Ван дер Пау предложена методика определения параметров высокоомных полупроводников, таких как удельное сопротивление, концентрация свободных носителей заряда и их подвижность. Методика отработана на примере полуизолирующего арсенида галлия n-типа проводимости с концентрацией электронов при комнатной температуре порядка 107 см-3.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні напівпровідники
| 