Изложены методы экспериментальных исследований распределения напряжений в кристаллах полупроводниковых лазеров на основе эффекта деформационного потенциала. Приведены результаты разработки стенда и метода измерения пространственно-разрешенных спектров излучения линеек лазерных диодов в составе излучателей производства РФЯЦ-ВНИИТФ. Дана количественная оценка значений контактных напряжений в линейках лазерных диодов для нескольких вариантов материалов конструкций излучателей, различающихся своими физико-механическими характеристиками.

Приборы и техника эксперимента [Текст] : научный журнал / РАН. — М.

• УДК // Квантові генератори
• УДК // Квантові підсилювачі
• УДК // Оптика