Описан подход к увеличению выходной мощности источника терагерцевого излучения на чипе. Теоретически исследовано влияние параметров линии и числа генераторов на спектр системы и фазовую стабильность. Представлены результаты экспериментального исследования генератора, изготовленного по 350 нм SiGe - технологии.
