Представлены результаты экспериментального исследования избыточного шума детекторов заряженных частиц и рентгеновского излучения, в которых созданы геттерирующие области, легированные иттербием. Исследования проведены на эпитаксиальных слоях GaAs. Структуры, изготовленные на слоях с меньшей концентрацией пассивирующей примеси, имели меньший уровень избыточного шума. Установлено, что структуры с разной площадью активной области характеризовались разным уровнем избыточного шума.
