Описаны конструктивные особенности модуля кристалла-монохроматора, полуширина кривой качания которого заданным образом изменяется под влиянием теплового воздействия на его рабочую поверхность полупроводниковым инфракрасным лазером. Приведены расчетные и экспериментальные данные по интерактивному управлению параметрами кривой качания описываемого модуля. Поазана возможность его использования в рентгеновской топографии для получения дополнительной информации о реальной структуре поверхности дефектных кристаллов.
