Установлено, что зависимость прямого сопротивления потерь от радиуса активной области для типовых сверхвысокочастотных p-i-n диодов зависит от отношения квадрата амбиполярной диффузионной длины к квадрату радуса активной области диода. Основываясь на данной закономерности, разработан метод, позволяющий достаточно просто находить амбиполярную диффузионную длину и время жизни носителей.
