Зведений каталог бібліотек Харкова
Глушко, А. А. Моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на характеристики полевых транзисторов структуры "кремний на изоляторе" [Текст] / А.А. Глушко, Л.А. Зинченко, В.А. Шахнов // . — С. 1090-1096.
- Анотація:
Рассмотрена методика численного моделирования изменения тока стока структуры “кремний на изоляторе” полевого транзистора с непрямым затвором при воздействии тяжелой заряженной частицы. Для моделирования использованы программа SRIM и программный комплекс приборно-технологического моделирования TCAD Sentaurus фирмы Synopsys. На основе полученных результатов даны рекомендации по выбору геометрии транзистора.
- Є складовою частиною документа:
Радиотехника и электроника [Текст] // Радиотехника и электроника ; Институт радиотехники и электроники РАН - М. : Наука. — 2015.
- Теми документа
